在電子工業(yè)的許多領(lǐng)域，都將倒裝芯片結(jié)合到新產(chǎn)品中，呈現(xiàn)增長(zhǎng)的規(guī)律。因此，必須理解許許多多的設(shè)計(jì)、材料、工藝和設(shè)備有關(guān)的變量，以保證該技術(shù)成功地實(shí)施和生存。例如，裸芯片的處理與貼裝產(chǎn)生了通常在標(biāo)準(zhǔn)的表面貼裝裝配中不會(huì)遇到的新挑戰(zhàn)。有一個(gè)顧客最近問(wèn)，“我們看到在我們得倒裝芯片裝配工藝中偏斜芯片的數(shù)量在增加 - 什么可能會(huì)造成這個(gè)問(wèn)題，我們?nèi)绾渭m正它?”

　　倒裝芯片中的芯片偏斜問(wèn)題解決方案

　　芯片偏斜是一個(gè)當(dāng)處理裸芯片是可能偶爾發(fā)生的一個(gè)工藝問(wèn)題。在倒裝芯片裝配工藝中的一些因數(shù)可能造成這種貼裝缺陷，包括不適當(dāng)?shù)脑O(shè)備設(shè)定、不正確的工藝參數(shù)和不兼容的裝配材料。另外，貼裝精度不僅受芯片貼裝工藝的影響，而且受其他制造工序的影響，諸如上助焊劑、板的傳送和焊錫回流。迅速地決定和消除造成這個(gè)特殊偏斜問(wèn)題的變量，經(jīng)常對(duì)制造工程師們是一個(gè)挑戰(zhàn)。

　　對(duì)于前面所提到的芯片偏斜的特殊情況，我們跟隨一系列的方法步驟，以找到問(wèn)題的原因和提供一個(gè)解決方法。在與該顧客一起工作時(shí)，初始的重點(diǎn)放在決定那個(gè)工藝步驟造成該問(wèn)題。在上游與下游工藝上作工藝檢查，主要是上助焊劑和焊錫回流，以決定每個(gè)工藝的潛在影響。在得出工藝與設(shè)備狀況都在規(guī)格范圍之內(nèi)的結(jié)論和保證所有獨(dú)立與非獨(dú)立變量都正確之后，我們?cè)诳蛻?hù)的工廠(chǎng)對(duì)芯片貼裝進(jìn)行了觀(guān)察。觀(guān)察顯示，不同的吸嘴類(lèi)型在各種芯片批號(hào)上產(chǎn)生重大的偏斜作用。

　　然后，在一條表面貼裝線(xiàn)上模擬了該貼裝過(guò)程，各變量與條件和客戶(hù)工廠(chǎng)所使用的一樣。使用客戶(hù)的實(shí)際產(chǎn)品和各種芯片批號(hào)，在貼裝過(guò)程中，當(dāng)使用兩個(gè)吸嘴型號(hào)時(shí)進(jìn)行高速攝影。影片顯示在芯片被釋放的同時(shí)芯片也粘附到B型吸嘴(橡膠)上，但是當(dāng)使用A型吸嘴時(shí)沒(méi)有芯片的粘附。進(jìn)行貼裝時(shí)沒(méi)有使用助焊劑，以突出芯片對(duì)吸嘴的粘附情況。對(duì)板剛性支撐，以減少板的彈性作用。也收集了信息，以決定每個(gè)吸嘴類(lèi)型對(duì)各種芯片批號(hào)的交互作用。

　　在芯片和吸嘴上的污染，以及芯片和吸嘴的表面光潔度，進(jìn)行了徹底的調(diào)查。對(duì)吸嘴類(lèi)型(新舊)和各個(gè)芯片批號(hào)兩者的樣品進(jìn)行了特性分析，包括溶劑萃取法、電子掃描顯微鏡(SEM)和富利埃轉(zhuǎn)換紅外光譜分析(FTIR)。分析顯示，背面凹處出現(xiàn)在失效的芯片批號(hào)上(大約30mm直徑、8mm深度)。也發(fā)現(xiàn)有機(jī)化合物 - 主要是粘著的和自由的氫氧化合物族。這種情況可以導(dǎo)致芯片粘著問(wèn)題，或者由于過(guò)大的粘附力，或者由于真空的局部效應(yīng)。另外，F(xiàn)TIR分析揭示在舊的吸嘴(A型與B型兩者)上有化合物族，表明有自由的氫氧化合物族，這些化合物族可能在有機(jī)酸、酒精和溶劑中發(fā)現(xiàn)。芯片粘著的可能原因是由于氫氧化合物族的相互作用或反應(yīng)，造成芯片與吸嘴之間過(guò)大的粘著力。在貼裝機(jī)器上安裝了新的吸嘴，偏斜問(wèn)題立刻得到糾正。

　　在這個(gè)特殊的案例中，芯片偏斜問(wèn)題的解決只是簡(jiǎn)單的糾正。吸嘴表面的情況對(duì)于獲得吸嘴與芯片之間適當(dāng)?shù)恼掣脚c分開(kāi)是關(guān)鍵的。適當(dāng)?shù)奈�嘴表面清潔方法�?duì)于保證吸嘴(與貼裝)的性能是關(guān)鍵的。